Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 30 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IRFH3707TRPBF
- RS品番:
- 220-7481
- メーカー型番:
- IRFH3707TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 220-7481
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- IRFH3707TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 2.8W | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3mm | |
| 規格 / 承認 | Lead-Free, RoHS | |
| 高さ | 1mm | |
| 幅 | 3 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 2.8W | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.4nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3mm | ||
規格 / 承認 Lead-Free, RoHS | ||
高さ 1mm | ||
幅 3 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon Strong IRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS(on)と高電流に最適化されています。このデバイスは、性能と耐久性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、 DC モータ、バッテリ管理システム、インバータ、 DC-DC コンバータなど、幅広いアプリケーションに対応します。
幅広い販売パートナーから入手できるように最適化
JEDEC 規格に準拠した製品認定
業界標準の表面実装パッケージ
高RDS(on)SuperSO8パッケージの代替として可能性あり
販売パートナーから幅広く入手可能
業界標準の認定レベル
標準的なピン配列により、簡単に交換可能
小型フォームファクタ