Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 30 V, 86 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR3709ZTRLPBF

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梱包形態
RS品番:
220-7496
メーカー型番:
IRFR3709ZTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

86A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

79W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

26nC

動作温度 Max

175°C

高さ

6.22mm

幅

2.39 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS N チャンネルパワー MOSFET は、効率、電力密度、コスト効果を高めるために開発されています。高性能アプリケーション向けに設計され、高いスイッチング周波数に最適化されたOptiMOS製品は、業界最高水準の性能を発揮します。OptiMOS パワーMOSFET ポートフォリオは、Strong IRFETによって補完されており、強力な組み合わせを生み出しています。Strong IRFET MOSFETの堅牢で優れた価格性能と、OptiMOS MOSFETのクラス最高の技術の完璧なマッチングのメリットを享受することができます。どちらの製品ファミリも、最高の品質基準と性能要求に応えています。12V→300VまでMOSFETをカバーする共同ポートフォリオは、SMPS、バッテリー駆動アプリケーション、モーター制御・駆動、インバーター、コンピューティングなど低スイッチング周波数から高スイッチング周波数までの幅広いニーズに対応することができます。

業界トップクラスの品質

4.5V VGSで低RDS(on)

アバランシェ電圧と電流を完全特性化

超低ゲートインピーダンス

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