Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 86 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR3709ZTRPBF

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RS品番:
217-2622
メーカー型番:
IRFR3709ZTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

86A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

79W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

6.37mm

高さ

2.39mm

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 30 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 D-Pak パッケージに収納されています。

Infineon 30 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 D-Pak パッケージに収納されています。

超低 RDS （ on ） @ 4.5 V VGS

超低ゲートインピーダンス

アバランシェ電圧を完全特性化

および Current

超低 RDS （ on ） @ 4.5 V VGS

超低ゲートインピーダンス

アバランシェ電圧を完全特性化

および Current

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