onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 267 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
221-6699
メーカー型番:
NTBGS1D5N06C
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

267A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

NTBGS1D

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.55mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

211W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

78.6nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.2mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

15.7mm

幅

4.7 mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor 60 V パワー MOSFET は、シングル N チャンネルで 267 A のドレイン電流を使用します。スイッチングノイズ / EMI が低く、導電損失を最小限に抑えることができます。

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

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