onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 267 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計：*

￥399,168.00

(税抜)

￥439,088.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 800 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
800 - 800￥498.96￥399,168
1600 - 7200￥488.984￥391,187
8000 - 11200￥479.196￥383,357
12000 - 15200￥469.61￥375,688
16000 +￥460.216￥368,173

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
221-6699
メーカー型番:
NTBGS1D5N06C
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

267A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

NTBGS1D

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.55mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

211W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

78.6nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.2mm

規格 / 承認

RoHS

幅

4.7 mm

高さ

15.7mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor 60 V パワー MOSFET は、シングル N チャンネルで 267 A のドレイン電流を使用します。スイッチングノイズ / EMI が低く、導電損失を最小限に抑えることができます。

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

関連ページ