onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 127 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, NTBGS3D5N06C

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梱包形態
RS品番:
221-6704
メーカー型番:
NTBGS3D5N06C
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

127A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

NTBGS3D

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

115W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

高さ

15.7mm

幅

4.7 mm

長さ

10.2mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

ON Semiconductor 60 V パワー MOSFET は、シングル N チャンネルで 127 A のドレイン電流を使用します。スイッチングノイズ / EMI が低く、導電損失を最小限に抑えることができます。

ON Semiconductor 60 V パワー MOSFET は、シングル N チャンネルで 127 A のドレイン電流を使用します。スイッチングノイズ / EMI が低く、導電損失を最小限に抑えることができます。

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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