onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 105 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS005N10MCLT1G

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥2,529.00

(税抜)

¥2,781.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 1,380 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
10 - 60¥252.90¥2,529
70 - 690¥226.50¥2,265
700 - 890¥201.10¥2,011
900 - 1190¥174.80¥1,748
1200 +¥149.20¥1,492

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
221-6720
メーカー型番:
NTMFS005N10MCLT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

105A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

NTMFS005N

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

55nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

長さ

5.3mm

規格 / 承認

Beryllium Free, Pb-Free, RoHS

高さ

6.3mm

1.1 mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor 産業用パワー MOSFET は、 5 x 6 mm のフラットリードパッケージに収められ、コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低 QG ・静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

関連ページ