onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A エンハンスメント型, スルーホール, 5-Pin パッケージDFN-5

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1500個入り) 小計:*

¥408,874.50

(税抜)

¥449,761.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,500 2026年1月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
1500 - 1500¥272.583¥408,875
3000 - 13500¥269.731¥404,597
15000 - 21000¥266.882¥400,323
22500 - 28500¥264.031¥396,047
30000 +¥261.181¥391,772

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
248-5821
メーカー型番:
NTMFS002N10MCLT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

58A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

DFN-5

シリーズ

NTM

取付タイプ

スルーホール

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

45nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

117W

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

ON Semiconductor MOSFETは、100 Vドレイン-ソース電圧、RDS(ON) 2.8 mΩ、連続ドレイン電流175 AのNチャンネルMOSFETです。また、これらのデバイスは鉛、ハロゲン、BFR、ベリリウム不使用で、RoHSに準拠しています。

小型設計のフットプリント(5 x 6 mm)

低RDS(オン)で導電損失を最小限に抑え

低QG及び静電容量でドライバ損失を最小限に抑え

関連ページ