型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 170 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS1D7N03CGT1G

RS品番:: 221-6730
メーカー型番:: NTMFS1D7N03CGT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 170 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS1D7N03CGT1G

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10 - 60	￥164.80	￥1,648
70 - 690	￥147.20	￥1,472
700 - 890	￥129.70	￥1,297
900 - 1190	￥111.90	￥1,119
1200 +	￥94.30	￥943

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RS品番:: 221-6730
メーカー型番:: NTMFS1D7N03CGT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	170A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	NTMFS1D7N
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.74mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	87W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	48nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	175°C
	幅	1.1 mm
	高さ	6.3mm
	長さ	5.3mm
	規格 / 承認	Pb-Free, RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 170A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ NTMFS1D7N
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.74mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 87W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 48nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 175°C
	幅 1.1 mm
	高さ 6.3mm
	長さ 5.3mm
	規格 / 承認 Pb-Free, RoHS
	自動車規格なし

ON Semiconductor 30 V パワー MOSFET は、シングル N チャンネルで 170 A のドレイン電流を使用しています。突入電流の管理を改善し、システム効率が向上します。

低RDS(オン)で導通損失を最小限に抑えます

低 QG ・静電容量でドライバ損失を最小限に抑えます

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 170 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN, NTMFS1D7N03CGT1G

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