onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 40 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, NTP067N65S3H
- RS品番:
- 221-6742
- メーカー型番:
- NTP067N65S3H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 38 | ￥924.50 | ￥1,849 |
| 40 - 378 | ￥856.50 | ￥1,713 |
| 380 - 498 | ￥787.00 | ￥1,574 |
| 500 - 638 | ￥718.50 | ￥1,437 |
| 640 + | ￥649.50 | ￥1,299 |
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- RS品番:
- 221-6742
- メーカー型番:
- NTP067N65S3H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | NTP067N | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 67mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 266W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 高さ | 16.3mm | |
| 幅 | 4.7 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ NTP067N | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 67mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 266W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 10.67mm | ||
高さ 16.3mm | ||
幅 4.7 mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET は、高電圧スーパージャンクション（SJ）MOSFETであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先進的な技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられます。
超低ゲート電荷
低実効出力容量： 691 pF
100%アバランシェ耐量試験済み