型番

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 1.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-323, DMN2310UW-7

RS品番:: 222-2829
メーカー型番:: DMN2310UW-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 1.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-323, DMN2310UW-7

ボリュームディスカウント対象商品

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50 - 100	￥21.08	￥1,054
150 - 1200	￥17.94	￥897
1250 - 1450	￥15.62	￥781
1500 - 2450	￥13.28	￥664
2500 +	￥10.14	￥507

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RS品番:: 222-2829
メーカー型番:: DMN2310UW-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	1.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	シリーズ	DMN
	パッケージ型式	SOT-323
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	200mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	8 V
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	0.45W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	0.7nC
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1.1mm
	幅	1.35 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	2.2mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 1.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	シリーズ DMN
	パッケージ型式 SOT-323
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 200mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 8 V
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 0.45W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.7nC
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1.1mm
	幅 1.35 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 2.2mm
	自動車規格 AEC-Q101

DiodesZetex N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗（ RDS （ ON ））を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

低オン抵抗

低入力静電容量

高速スイッチング速度

鉛未使用、RoHS準拠

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 1.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-323, DMN2310UW-7

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