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DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 261 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージSOT-363

RS品番:: 222-2843
メーカー型番:: DMN62D4LDW-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 261 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型パッケージSOT-363

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RS品番:: 222-2843
メーカー型番:: DMN62D4LDW-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	261mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	DMN
	パッケージ型式	SOT-363
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	0.51nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	0.45W
	順方向電圧 Vf	0.8V
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 261mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ DMN
	パッケージ型式 SOT-363
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.51nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 0.45W
	順方向電圧 Vf 0.8V
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Datasheet - DMN62D4LDW-7

DiodesZetex デュアル N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗（ RDS （ ON ））を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

デュアル N チャンネル MOSFET

低オン抵抗

低ゲートしきい値電圧

低入力静電容量

高速スイッチング速度

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 261 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSOT-363

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