2 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 800 mA, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN3401LDW-7 パッケージSOT-363
- RS品番:
- 206-0084
- メーカー型番:
- DMN3401LDW-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 15000 - 27000 | ¥12.802 | ¥38,406 |
| 30000 - 72000 | ¥12.497 | ¥37,491 |
| 75000 - 147000 | ¥12.169 | ¥36,507 |
| 150000 + | ¥11.853 | ¥35,559 |
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- RS品番:
- 206-0084
- メーカー型番:
- DMN3401LDW-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 800mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | DMN3401 | |
| パッケージ型式 | SOT-363 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 700mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 0.35W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 1.3 mm | |
| 長さ | 2.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.95mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 800mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ DMN3401 | ||
パッケージ型式 SOT-363 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 700mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 0.35W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 1.3 mm | ||
長さ 2.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.95mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- COO(原産国):
- CN
DiodesZetex 30 V デュアル N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。ゲートソース電圧は 20 V 、熱消費電力は 0.29 W です。
低オン抵抗
低入力静電容量
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