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DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 217 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN66D0LDWQ-7 パッケージSOT-363

RS品番:: 222-2848
メーカー型番:: DMN66D0LDWQ-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 217 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN66D0LDWQ-7 パッケージSOT-363

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RS品番:: 222-2848
メーカー型番:: DMN66D0LDWQ-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	217mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SOT-363
	シリーズ	DMN
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	6Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	0.8V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	250mW
	動作温度 Max	150°C
	トランジスタ構成	デュアル
	高さ	0.95mm
	幅	1.3 mm
	規格 / 承認	RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	長さ	2.15mm
	自動車規格	AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 217mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SOT-363
	シリーズ DMN
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 0.8V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 250mW
	動作温度 Max 150°C
	トランジスタ構成デュアル
	高さ 0.95mm
	幅 1.3 mm
	規格 / 承認 RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	長さ 2.15mm
	自動車規格 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

DiodesZetex デュアル N チャンネル拡張モード MOSFET は、車載用途の厳しい要件を満たすように設計されています。AEC-Q101認定済みで、PPAP対応です。

デュアル N チャンネル MOSFET

低オン抵抗

低ゲートしきい値電圧

低入力静電容量

高速スイッチング速度

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 217 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN66D0LDWQ-7 パッケージSOT-363

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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