型番

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 14.1 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージUDFN

RS品番:: 222-2865
メーカー型番:: DMT3006LFDFQ-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 14.1 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージUDFN

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15000 - 27000	￥24.816	￥74,448
30000 - 72000	￥24.739	￥74,217
75000 - 147000	￥24.661	￥73,983
150000 +	￥24.583	￥73,749

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RS品番:: 222-2865
メーカー型番:: DMT3006LFDFQ-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	14.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	UDFN
	シリーズ	DMT
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	7mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	2.1W
	順方向電圧 Vf	1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	8.4nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	高さ	0.63mm
	規格 / 承認	No
	幅	2.05 mm
	長さ	2.05mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 14.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 UDFN
	シリーズ DMT
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 2.1W
	順方向電圧 Vf 1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.4nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	高さ 0.63mm
	規格 / 承認 No
	幅 2.05 mm
	長さ 2.05mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - DMT3006LFDFQ-7

DiodesZetex N チャンネル拡張モード MOSFET は、車載用途の厳しい要件を満たすように設計されています。AEC-Q101認定済みで、PPAP対応です。

基板占有面積：4 mm2

低ゲートしきい値電圧

高速スイッチング速度

鉛未使用、RoHS準拠