Name: DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 10.6 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMT3009UDT-7 パッケージVDFN-3030
Brand: DiodesZetex
SKU: 222-2868
Price: 111.50 JPY
Availability: Discontinued

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	10.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	DMT
	パッケージ型式	VDFN-3030
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.011Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	16W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	14.6nC
	順方向電圧 Vf	0.8V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	12 V
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 10.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ DMT
	パッケージ型式 VDFN-3030
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.011Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 16W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14.6nC
	順方向電圧 Vf 0.8V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

DiodesZetex デュアル N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗（ RDS （ ON ））を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

超低ゲートしきい値電圧

低オン抵抗

低入力静電容量

高速スイッチング速度

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 10.6 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMT3009UDT-7 パッケージVDFN-3030

関連ページ