Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 250 V, 9.3 A, 345 mΩ, 13 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール3000個入り) 小計:*

¥610,200.00

(税抜)

¥671,220.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年1月14日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000¥203.40¥610,200
6000 - 27000¥202.051¥606,153
30000 - 42000¥198.653¥595,959
45000 - 57000¥195.255¥585,765
60000 +¥191.857¥575,571

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4613
メーカー型番:
AUIRFR4292TRL
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

9.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

345mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

最大許容損失Pd

100W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

2.39mm

長さ

6.22mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術により、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現します。このほか、175℃のジャンクション温度、高速スイッチング速度、改良された反復アバランシェ定格などの特徴を持っています。これらの特徴を組み合わせることで、車載用をはじめとするさまざまな用途で使用できる、非常に効率的で信頼性の高いデバイスとして設計されています。

高度なプロセス技術

超低オン抵抗、高速スイッチング

鉛未使用、RoHS準拠

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。