Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 55 V, 31 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 223-8456
- メーカー型番:
- AUIRFR5305TRL
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ¥186.318 | ¥558,954 |
| 6000 - 27000 | ¥183.578 | ¥550,734 |
| 30000 - 42000 | ¥180.838 | ¥542,514 |
| 45000 - 57000 | ¥178.098 | ¥534,294 |
| 60000 + | ¥175.358 | ¥526,074 |
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- RS品番:
- 223-8456
- メーカー型番:
- AUIRFR5305TRL
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 31A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 65mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | -1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 31A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 65mΩ | ||
順方向電圧 Vf -1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon車載用シングルPチャンネルHEXFETパワーMOSFETは、D2-pakパッケージです。セルラータイプのパワーMOSFETは、最新のプロセス技術を活用して、シリコン面積あたり低いオン抵抗を実現しています。高速スイッチングと優れた耐久性により、車載用をはじめ幅広いアプリケーションに使用されています。
先進のプレーナー技術
動的dv/dt耐性
動作温度:175 °C
高速スイッチング
鉛未使用
RoHS準拠
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