Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 31 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計：*

￥316,196.00

(税抜)

￥347,816.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,000 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000￥316.196￥316,196
2000 - 9000￥309.423￥309,423
10000 - 14000￥302.649￥302,649
15000 - 19000￥295.877￥295,877
20000 +￥289.103￥289,103

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4653
メーカー型番:
IPB60R099P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

99mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

IInfineon CoolMOS C7は、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によってパイオニアとなっています。600VのCool MOS™ C7シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET サプライヤの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。600 V C7は、RDS(on) Aが1Ω*mm²を下回る史上初の技術です。

ハード/ソフトスイッチング（PFC、高性能LLC）に対応、MOSFETのdv/dt耐量が120V/nsまで向上

クラス最高のFOM RDS(on)*Eoss と RDS(on)*Qg による効率向上

クラス最高のRDS(on)/パッケージ

関連ページ