Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 31 A 表面実装 パッケージTO-263 3 ピン
- RS品番:
- 222-4653
- メーカー型番:
- IPB60R099P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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- RS品番:
- 222-4653
- メーカー型番:
- IPB60R099P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon CoolMOS C7は、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によってパイオニアとなっています。600VのCool MOS™ C7シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET サプライヤの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。600 V C7は、RDS(on) Aが1Ω*mm²を下回る史上初の技術です。
ハード/ソフトスイッチング（PFC、高性能LLC）に対応、MOSFETのdv/dt耐量が120V/nsまで向上
クラス最高のFOM RDS(on)*Eoss と RDS(on)*Qg による効率向上
クラス最高のRDS(on)/パッケージ
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クラス最高のRDS(on)/パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 31 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | TO-263 |
| シリーズ | CoolMOS™ |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.099 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | シリコン |
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