Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 31 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
222-4653
メーカー型番:
IPB60R099P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

99mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

IInfineon CoolMOS C7は、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によってパイオニアとなっています。600VのCool MOS™ C7シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET サプライヤの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。600 V C7は、RDS(on) Aが1Ω*mm²を下回る史上初の技術です。

ハード/ソフトスイッチング（PFC、高性能LLC）に対応、MOSFETのdv/dt耐量が120V/nsまで向上

クラス最高のFOM RDS(on)*Eoss と RDS(on)*Qg による効率向上

クラス最高のRDS(on)/パッケージ

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