Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 31.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB65R190C7ATMA2

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梱包形態
RS品番:
222-4658
メーカー型番:
IPB65R190C7ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

31.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineonテクノロジーによってはじめられました。600VのCool MOS™ C7シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET サプライヤの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。600 V C7は、RDS(on) Aが1Ω*mm²を下回る史上初の技術です。

AEC Q101認定

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