Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 1.9 A, 2.8 Ω, 12 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

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RS品番:
222-4674
メーカー型番:
IPD80R2K8CEATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

1.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.8Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

42W

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

2.41mm

幅

6.22mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

環境に優しい製品（RoHS準拠）

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