Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 150 A エンハンスメント型, 表面, 2-Pin パッケージDirectFET, IRF6620TRPBF
- RS品番:
- 222-4737
- メーカー型番:
- IRF6620TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | ￥231.30 | ￥2,313 |
| 50 - 90 | ￥202.80 | ￥2,028 |
| 100 - 240 | ￥174.30 | ￥1,743 |
| 250 - 490 | ￥145.70 | ￥1,457 |
| 500 + | ￥117.30 | ￥1,173 |
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- RS品番:
- 222-4737
- メーカー型番:
- IRF6620TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 150A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | DirectFET | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 2 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大許容損失Pd | 89W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.68mm | |
| 長さ | 6.35mm | |
| 幅 | 5.05 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 150A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 DirectFET | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 2 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC | ||
最大許容損失Pd 89W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.68mm | ||
長さ 6.35mm | ||
幅 5.05 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFET®パワーMOSFETシリコン技術と先進のDirect FETTMパッケージにより、SO-8の設置面積とわずか0.7mmのプロファイルのパッケージで低オン状態抵抗を実現しています。DirectFETパッケージは、製造方法とプロセスに関するアプリケーションノートAN-1035に従えば、電源用途、基板アセンブリ装置、気相や赤外線、対流はんだ付けなどで使用される既存のレイアウトに対応しています。
100%Rgテスト済み 低導通損失とスイッチング損失
CPUコア用DC-DCコンバータに最適な超低インダクタンスパッケージ