Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 25 A, 表面, 3-Pin パッケージDirectFET, IRF6645TRPBF
- RS品番:
- 214-4455
- メーカー型番:
- IRF6645TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-4455
- メーカー型番:
- IRF6645TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 25A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | DirectFET | |
| シリーズ | DirectFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 35mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大許容損失Pd | 42W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 25A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 DirectFET | ||
シリーズ DirectFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 35mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC | ||
最大許容損失Pd 42W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon のこの強力な IRFET パワー MOSFET は、低 RDS ( on )及び高電流に最適化されています。性能と耐久性を必要とする低周波数用途に最適です。
同期整流に最適化されています
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