Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1700 V, 52 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247, IMW120R045M1XKSA1

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RS品番:
222-4853
メーカー型番:
IMW120R045M1XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1700V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

IMW1

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolSiC™ 1200 V、45 mΩ SiC MOSFETは、TO247-3パッケージに収められ、性能と信頼性を兼ね備えるように最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。1200Vスイッチで見られるもっとも低いゲート電荷とデバイスの静電容量レベル、内部転流防止ボディダイオードにより逆回復損失がないこと、温度非依存の低スイッチング損失、閾値非依存のオン状態特性などです。CoolSiC™MOSFETは、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、DC/DCコンバーターまたはDC/ACインバーターなどのハードスイッチングと共振スイッチングトポロジーに最適です。

クラス最高のスイッチング損失と導通損失

ベンチマークとなる高しきい値電圧、Vth 4 V>0Vのターンオフゲート電圧で簡単なゲート駆動が可能

広いゲート-ソース間電圧範囲

ハード整流に対する堅牢で低損失なボディダイオード

温度に依存しないターンオフ時のスイッチング損失

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