Infineon Nチャンネル MOSFET1200 V 52 A スルーホール パッケージTO-247-4 4 ピン

Infineon CoolSiC™ 1200 V、45 mΩ SiC MOSFETは、TO247-4パッケージに収められ、性能と信頼性を兼ね備えるように最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。

クラス最高のスイッチング損失と導通損失
ベンチマークとなる高閾値電圧、Vth =4 V>0Vのターンオフゲート電圧で簡単なゲート駆動が可能
広いゲート-ソース間電圧
ハード整流に対する堅牢で低損失なボディダイオード

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。