Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220, IPA65R045C7XKSA1

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梱包形態
RS品番:
222-4883
メーカー型番:
IPA65R045C7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

IPA65R

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS™ C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、世界最低のRDS（on）/パッケージを提供し、低スイッチング損失により全負荷範囲で効率改善を実現する、革新的な製品です。

Infineon CoolMOS™ C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、世界最低のRDS（on）/パッケージを提供し、低スイッチング損失により全負荷範囲で効率改善を実現する、革新的な製品です。

安全マージンを改善し、スイッチング電源（SMPS）とソーラーインバータの両方の用途に対応

低導電損失 / パッケージ

低スイッチング損失

軽負荷効率の向上

電力密度の向上

優れたCoolMOS™品質

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低導電損失 / パッケージ

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