Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 37.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220, IPA60R099P6XKSA1

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梱包形態
RS品番:
222-4640
メーカー型番:
IPA60R099P6XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

37.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

99mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によって始められました。Cool MOSTM P6シリーズは、主要なSJ MOSFETメーカーの経験と高クラスのイノベーションを組み合わせた製品です。本製品は、使いやすさを損なうことなく、高速スイッチング SJ MOSFET の利点を備えています。スイッチング損失と導電損失が極めて低いため、スイッチング用途の効率性、小型化、軽量化、冷却性がさらに向上します。

MOSFET の dv/dt 耐性向上

非常に低いFOM RDS(on)*Qg とRDS(on)*Eossによる極めて低い損失の実現

高い整流安定性

鉛未使用めっき、ハロゲン未使用モールド化合物

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