Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計:*

¥313,533.00

(税抜)

¥344,886.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月25日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000¥313.533¥313,533
2000 - 9000¥307.209¥307,209
10000 - 14000¥300.884¥300,884
15000 - 19000¥294.56¥294,560
20000 +¥288.235¥288,235

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4890
メーカー型番:
IPB60R090CFD7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPB60R

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

90mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 600VのCoolMOS™ CFD7 スーパージャンクション MOSFET IPB60R090CFD7(D2PAKパッケージ)は、サーバー、通信、EV 充電ステーションなどの高出力スイッチング電源における共振トポロジに最適で、効率を大幅に向上させます。CFD2 SJ MOSFETファミリーの後継製品として、ゲート電荷量の低減、ターンオフ特性の改善、競合製品と比較して最大69%の逆回復電荷の低減を実現しています。

きわめて高速なボディダイオード

クラス最良の逆回復電荷(Qrr)

逆方向ダイオードのdv/dtとdif/dtの堅牢性向上

きわめて低いFOM(RDS(on) x Qg)と Eoss

クラス最高のRDS(on)/パッケージの組み合わせ

関連ページ