Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK

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RS品番:
222-4917
メーカー型番:
IPL65R070C7AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

28A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IPL60R

パッケージ型式

ThinPAK

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

70mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

169W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

64nC

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

幅

8.1 mm

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

長さ

8.1mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS™ C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、世界最低のRDS（on）/パッケージを提供し、低スイッチング損失により全負荷範囲で効率改善を実現する、革新的な製品です。

革新的なクラス最高のR DS(on)／パッケージ

出力容量に蓄積されるエネルギーの低減 (Eoss)

低いゲート電荷量Qg

パッケージの小型化、部品点数の削減による省スペース化

12年以上のスーパージャンクション技術の製造経験

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