Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥1,667,742.00

(税抜)

￥1,834,515.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
3,000円未満（税抜）のご注文は、送料500円です。
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年11月23日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥555.914￥1,667,742
6000 - 6000￥553.571￥1,660,713
9000 - 9000￥551.247￥1,653,741
12000 - 12000￥548.906￥1,646,718
15000 +￥546.572￥1,639,716

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4917
メーカー型番:
IPL65R070C7AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

28A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

ThinPAK

シリーズ

IPL60R

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

70mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

64nC

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

169W

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

8.1mm

高さ

1.1mm

幅

8.1 mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS™ C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、世界最低のRDS（on）/パッケージを提供し、低スイッチング損失により全負荷範囲で効率改善を実現する、革新的な製品です。

革新的なクラス最高のR DS(on)／パッケージ

出力容量に蓄積されるエネルギーの低減 (Eoss)

低いゲート電荷量Qg

パッケージの小型化、部品点数の削減による省スペース化

12年以上のスーパージャンクション技術の製造経験

関連ページ