Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 35 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IPP60R060C7XKSA1

RS品番:: 222-4926
メーカー型番:: IPP60R060C7XKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 35 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IPP60R060C7XKSA1

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12 - 22	￥1,217.50	￥2,435
24 - 30	￥1,177.00	￥2,354
32 - 38	￥1,136.00	￥2,272
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RS品番:: 222-4926
メーカー型番:: IPP60R060C7XKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	35A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	TO-220
	シリーズ	IPP60R
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	60mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	162W
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	68nC
	順方向電圧 Vf	0.9V
	動作温度 Max	150°C
	高さ	9.45mm
	幅	4.57 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	10.36mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 35A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 TO-220
	シリーズ IPP60R
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 60mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 162W
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 68nC
	順方向電圧 Vf 0.9V
	動作温度 Max 150°C
	高さ 9.45mm
	幅 4.57 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 10.36mm
	自動車規格なし

Infineon 600 V CoolMOS™ C7スーパージャンクション(SJ) MOSFETシリーズは、CoolMOS™ CPと比較してターンオフ損失(Eoss)を約50 %削減し、PFC、TTF、その他のハードスイッチングトポロジで優れた性能を発揮します。IPL60R185C7は、高電力密度の充電器設計にも最適です。

QG、Coss、Eossなどのスイッチング損失を低減

クラス最高性能のQG*RDS(on)

スイッチング周波数の向上

世界最高レベルのR(on)*Aを実現

高耐久性のボディダイオード