Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 48 A, 60 mΩ, 67 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 214-4413
- メーカー型番:
- IPP60R060P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本50個入り) 小計：*
￥39,722
(税抜)
￥43,694
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 450 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥794.44 | ￥39,722 |
| 250 - 450 | ￥779.20 | ￥38,960 |
| 500 - 1200 | ￥763.88 | ￥38,194 |
| 1250 - 2450 | ￥748.68 | ￥37,434 |
| 2500 + | ￥733.44 | ￥36,672 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 214-4413
- メーカー型番:
- IPP60R060P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 48A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | 600V CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 60mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 164W | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 67nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 4.4mm | |
| 長さ | 10.2mm | |
| 幅 | 15.93mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 48A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ 600V CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 60mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 164W | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 67nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 4.4mm | ||
長さ 10.2mm | ||
幅 15.93mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン600V CoolMOS P7シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 600V、最大連続ドレイン電流 48A - IPP60R060P7XKSA1
このMOSFETは、電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、TO-220形式のスルーホール実装向けで、高電圧回路用の信頼性の高いデバイスを必要とするエンジニアにとって、小型で保守しやすい選択肢となります。
特長：
• 定格 600V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 48A により、高負荷に対応
• 最大許容電力 164W により、高出力動作に対応
• 最大RDS(on) 60mΩ により、低導通損失を実現
• 標準ゲート電荷 67nC により、駆動要件を予測可能
• 最大ゲート-ソース間電圧 20V により、標準的なゲートドライバに対応
• 連続ドレイン電流 48A により、高負荷に対応
• 最大許容電力 164W により、高出力動作に対応
• 最大RDS(on) 60mΩ により、低導通損失を実現
• 標準ゲート電荷 67nC により、駆動要件を予測可能
• 最大ゲート-ソース間電圧 20V により、標準的なゲートドライバに対応
用途
• SMPSの一次側スイッチング段に適合
• 産業用モータードライブのインバータ段に最適
• 高電圧バッテリ管理システムに使用
• 力率改善プリレギュレータに使用可能
• LED照明の商用電源変換に有用
• 産業用モータードライブのインバータ段に最適
• 高電圧バッテリ管理システムに使用
• 力率改善プリレギュレータに使用可能
• LED照明の商用電源変換に有用
動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか？
-55°C～150°C で動作するよう規定されており、過酷な環境における厳しい周囲温度や高いジャンクション温度に対応します。
基板組立用にどのようなパッケージと実装方法が用意されていますか？
スルーホール実装用に設計されたTO-220パッケージで提供され、ヒートシンクの取り付けやはんだ付けによる実装が容易です。
デバイスのゲート駆動要件は、ドライバの選定にどのような影響を与えますか？
標準ゲート電荷が 67nC、VGS上限が 20V のため、ゲート電圧の上限を超えずに十分なソース電流とシンク電流を供給できるドライバを選定してください。
効率に影響する導通特性とスイッチング特性はどれですか？
最大ドレイン-ソース間抵抗 60mΩ と順方向電圧 0.9V は、負荷時の導通損失と順方向電圧降下の特性を示し、システム効率の計算に関係します。
関連ページ
- Infineon MOSFET 600 V 60 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 600 V 60 mΩ パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 600 V 60 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 700 V 60 mΩ 3ピン, パッケージ：PG-TO220-3
- Infineon MOSFET 600 V 60 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247
- Infineon MOSFET 600 V 125 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 650 V 70 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 600 V 280 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220