Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 26 A, 120 mΩ, 36 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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RS品番:
222-4929
メーカー型番:
IPP60R120P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

26A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPP60R

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

120mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

900mV

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

95W

動作温度 Max

150°C

長さ

10.36mm

規格 / 承認

No

高さ

9.45mm

幅

4.57mm

自動車規格

なし

Infineon IPP60RシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流26A - IPP60R120P7XKSA1


このMOSFETは、高い電圧耐性と熱範囲が求められる電力制御用途向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。スルーホールTO-220パッケージのNチャンネル強化デバイスとして動作し、過酷な温度環境で堅牢なゲートドライブと大きな連続電流処理を必要とする回路設計に適しています。

特長:


• 600 Vのドレイン・ソース間電圧により、高電圧スイッチング機能を実現
• 120mΩ RDS(on)により、伝導損失を低減し、効率を向上
• 26 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 36 nC標準ゲート充電により、ゲートドライブのサイズ変更が容易になり、より高速なスイッチングを実現
• 95Wの最大消費電力により、高出力動作を実現
• -55°C~150°Cの動作範囲により、幅広い熱環境に対応

用途


• 高電圧SMPSの一次側スイッチング段に最適
• スルーホール実装を必要とするモータードライブハーフブリッジ回路に最適
• 高電圧に対応する産業用インバータと併用
• ベンチ機器のスイッチモード電力変換に使用可能
• 堅牢な耐熱性が必要な電源に最適

ドライブ回路に推奨される最大ゲート電圧は?


このデバイスは、最大20 Vのゲートソース電圧に対応しているため、この制限内に留まるようにゲートドライバを選択する必要があります。

パッケージの選択は、取り付けと熱管理にどのような影響を与えますか?


TO-220スルーホールパッケージは、ヒートシンクを容易にし、プリント基板実装を容易にし、放熱性を向上させます。

高負荷時にはどのような導通性能が期待できますか?


最大120 mΩのRDS(on)と26 Aの連続ドレイン電流により、熱設計の計算において数値化された伝導損失を実現します。

スイッチング損失は設計においてどのように考慮すべきですか?


36 nCの標準ゲート電荷を使用して、スイッチングイベントごとのドライバエネルギーを推定し、電圧関連スイッチング損失を計算する際に600 V定格を含むことができます。

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