Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 43 A, 1.05 mΩ, 178 nC, 8ピン, パッケージ：HSOF
- RS品番:
- 225-0581
- メーカー型番:
- IPT010N08NM5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 225-0581
- メーカー型番:
- IPT010N08NM5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 43A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | HSOF | |
| シリーズ | IPT010N08NM5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.05mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 178nC | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 10.58mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 43A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 HSOF | ||
シリーズ IPT010N08NM5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.05mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 178nC | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.1mm | ||
高さ 2.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 10.58mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IPT010N08NM5シリーズMOSFET、ドレインソース電圧80V、連続ドレイン電流43A - IPT010N08NM5ATMA1
このMOSFETは、表面実装アセンブリの高電流、高電圧用途向けに設計された半導体スイッチングデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢なドレインソース性能と大幅な電力処理を必要とする電力変換、スイッチング、ドライブ回路向けです。
特長：
• 低オン抵抗により、高電流での導通損失を低減
• 高ドレイン・ソース電圧により、80Vシステムレールでの動作が可能
• 高い連続ドレイン電流により、持続的な43 Aの負荷処理が可能
• 高消費電力により、最大375Wの熱負荷をサポート
• 178 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 高ドレイン・ソース電圧により、80Vシステムレールでの動作が可能
• 高い連続ドレイン電流により、持続的な43 Aの負荷処理が可能
• 高消費電力により、最大375Wの熱負荷をサポート
• 178 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
用途
• DC-DCコンバータースイッチング段階に最適
• モータ駆動ハーフブリッジ構成に最適
• 高電流処理が必要な電源と併用
• コンバータの同期整流に使用可能
• モータ駆動ハーフブリッジ構成に最適
• 高電流処理が必要な電源と併用
• コンバータの同期整流に使用可能
回路設計において、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
ゲートソースの過負荷を避けるため、ゲートは最大20 Vを超えてはならない。
動作中にどのような熱環境に耐えられますか?
-55°C～175°Cで動作するように設計されており、極端な温度条件下でも使用できます。
プリント基板の配線と接続には、どのくらいのピンがありますか?
表面実装フットプリントには、レイアウトおよび電気接続用の8ピンがあります。
プリント基板のフットプリントを設計する際には、どのようなパッケージタイプを考慮すべきですか?
このコンポーネントは、表面実装および基板取り付け用に設計されたHSOFパッケージを使用しています。
効率計算において考慮すべき標準的な導電抵抗は何ですか?
損失推定値の最大ドレイン・ソース抵抗値は約1.05 mΩです。
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