Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 43 A, 1.05 mΩ, 178 nC, 8ピン, パッケージ：HSOF

RS品番:: 225-0581
メーカー型番:: IPT010N08NM5ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 43 A, 1.05 mΩ, 178 nC, 8ピン, パッケージ：HSOF

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RS品番:: 225-0581
メーカー型番:: IPT010N08NM5ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	43A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	IPT010N08NM5
	パッケージ型式	HSOF
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.05mΩ
	順方向電圧 Vf	1V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	178nC
	最大許容損失Pd	375W
	動作温度 Max	175°C
	長さ	10.1mm
	規格 / 承認	No
	幅	10.58mm
	高さ	2.4mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 43A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ IPT010N08NM5
	パッケージ型式 HSOF
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.05mΩ
	順方向電圧 Vf 1V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 178nC
	最大許容損失Pd 375W
	動作温度 Max 175°C
	長さ 10.1mm
	規格 / 承認 No
	幅 10.58mm
	高さ 2.4mm
	自動車規格なし

Datasheet-IPT010N08NM5ATMA1

Infineon IPT010N08NM5シリーズMOSFET、ドレインソース電圧80V、連続ドレイン電流43A - IPT010N08NM5ATMA1

このMOSFETは、表面実装アセンブリの高電流、高電圧用途向けに設計された半導体スイッチングデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢なドレインソース性能と大幅な電力処理を必要とする電力変換、スイッチング、ドライブ回路向けです。

特長：

• 低オン抵抗により、高電流での導通損失を低減
• 高ドレイン・ソース電圧により、80Vシステムレールでの動作が可能
• 高い連続ドレイン電流により、持続的な43 Aの負荷処理が可能
• 高消費電力により、最大375Wの熱負荷をサポート
• 178 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現

用途

• DC-DCコンバータースイッチング段階に最適
• モータ駆動ハーフブリッジ構成に最適
• 高電流処理が必要な電源と併用
• コンバータの同期整流に使用可能

回路設計において、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?

ゲートソースの過負荷を避けるため、ゲートは最大20 Vを超えてはならない。

動作中にどのような熱環境に耐えられますか?

-55°C～175°Cで動作するように設計されており、極端な温度条件下でも使用できます。

プリント基板の配線と接続には、どのくらいのピンがありますか?

表面実装フットプリントには、レイアウトおよび電気接続用の8ピンがあります。

プリント基板のフットプリントを設計する際には、どのようなパッケージタイプを考慮すべきですか?

このコンポーネントは、表面実装および基板取り付け用に設計されたHSOFパッケージを使用しています。

効率計算において考慮すべき標準的な導電抵抗は何ですか?

損失推定値の最大ドレイン・ソース抵抗値は約1.05 mΩです。