Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 43 A, 表面, 8-Pin パッケージHSOF, IPT010N08NM5ATMA1

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計:*

¥2,418.00

(税抜)

¥2,659.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 298 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2 - 58¥1,209.00¥2,418
60 - 598¥1,083.50¥2,167
600 - 798¥958.50¥1,917
800 - 1598¥832.00¥1,664
1600 +¥706.00¥1,412

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
225-0582
メーカー型番:
IPT010N08NM5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

43A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

IPT010N08NM5

パッケージ型式

HSOF

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.05mΩ

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

375W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

178nC

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.4mm

長さ

10.1mm

10.58 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon IPT010N08NM5は、TOLLパッケージの80V、1.05mΩ、425AのシングルNチャンネルOptiMOS 5パワーMOSFETです。OptiMOS 5シリコンテクノロジーは、通信機器やサーバーの電源の同期整流向けに設計された新世代のパワーMOSFETです。

電力密度の向上

低電圧オーバーシュート

並列の必要性を低減

最高レベルのシステム効率

スイッチング損失と伝導損失を削減

関連ページ