STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 72 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247

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RS品番:
225-0678
メーカー型番:
STWA68N65DM6AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

72A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

MDmesh DM6

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

39mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

118nC

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

480W

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

40.92mm

幅

15.8 mm

高さ

5.1mm

自動車規格

AEC-Q101

STMicroelectronics高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、MDmesh DM6高速回復ダイオードシリーズの一部です。DM6では、従来のMDmesh高速世代と比較して、非常に低い回復電荷（Qrr）、回復時間（trr）、単位面積あたりのRDS（on）の優れた改善と、市場で最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジやZVS位相シフトコンバータに適した、最も効果的なスイッチング動作の1つを兼ね備えています。

高速回復型ボディダイオード

単位面積あたりのRDS(on)を前世代より低減

低ゲートチャージ、低入力容量、低抵抗を実現

100%アバランシェテスト済み

極めて高いdv/dt耐久性

ツェナプロテクト

629

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