STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 55 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, STWA32N65DM6AG

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梱包形態
RS品番:
240-0614
メーカー型番:
STWA32N65DM6AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

55A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

STW

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

320W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

52.6nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

150°C

長さ

40.92mm

高さ

5.1mm

幅

15.8 mm

規格 / 承認

UL

自動車規格

AEC-Q101

STMicroelectronics高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、MDmesh DM6高速リカバリダイオードシリーズの一部です。以前のMDmesh高速世代と比較して、DM6は非常に低い回復電荷(Qrr)と低い回復時間(trr)、領域あたりのRDS(on)の優れた改善を組み合わせて、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジ及びZVS位相シフトコンバータに対応する効果的なスイッチング動作を実現しています。

AEC-Q101認定

高速回復ボディダイオード

前世代に比べてRDS(on) x 面積が低く

低ゲート電荷、低入力静電容量、低抵抗

100%アバランシェ試験済み

dv/dtの堅牢性が高い

ツェナー保護

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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