型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.25 A, 表面, 7-Pin パッケージSC-70, SQA470CEJW-T1_GE3

RS品番:: 225-9938
メーカー型番:: SQA470CEJW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.25 A, 表面, 7-Pin パッケージSC-70, SQA470CEJW-T1_GE3

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個	単価	購入単位毎合計*
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150 - 1200	￥58.70	￥2,935
1250 - 1450	￥50.34	￥2,517
1500 - 2450	￥41.94	￥2,097
2500 +	￥33.56	￥1,678

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RS品番:: 225-9938
メーカー型番:: SQA470CEJW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	2.25A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	N-Channel 30 V
	パッケージ型式	SC-70
	取付タイプ	表面
	ピン数	7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	95mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs	12 V
	最大許容損失Pd	13.6W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	4.6nC
	順方向電圧 Vf	0.75V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	長さ	2.05mm
	幅	2.05 mm
	規格 / 承認	AEC-Q101
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 2.25A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ N-Channel 30 V
	パッケージ型式 SC-70
	取付タイプ表面
	ピン数 7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 95mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	最大許容損失Pd 13.6W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.6nC
	順方向電圧 Vf 0.75V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	長さ 2.05mm
	幅 2.05 mm
	規格 / 承認 AEC-Q101
	自動車規格 AEC-Q101

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

TrenchFET パワー MOSFET

AEC-Q101認定

ウェッタブルフランク端子です

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.25 A, 表面, 7-Pin パッケージSC-70, SQA470CEJW-T1_GE3

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