型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 315 A, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJ138ELP-T1_GE3

RS品番:: 225-9948
メーカー型番:: SQJ138ELP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 315 A, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJ138ELP-T1_GE3

ボリュームディスカウント対象商品

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個	単価	購入単位毎合計*
10 - 140	￥203.00	￥2,030
150 - 1390	￥181.60	￥1,816
1400 - 1890	￥159.20	￥1,592
1900 - 2390	￥137.60	￥1,376
2400 +	￥115.30	￥1,153

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RS品番:: 225-9948
メーカー型番:: SQJ138ELP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	315A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	PowerPAK （8x8L）
	シリーズ	N-Channel 40 V
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	2.1Ω
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	500W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	78nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.1V
	動作温度 Max	175°C
	幅	5 mm
	長さ	6.25mm
	規格 / 承認	No
	高さ	1.1mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 315A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 PowerPAK （8x8L）
	シリーズ N-Channel 40 V
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.1Ω
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 500W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 78nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.1V
	動作温度 Max 175°C
	幅 5 mm
	長さ 6.25mm
	規格 / 承認 No
	高さ 1.1mm
	自動車規格 AEC-Q101

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

薄い 1.6 mm パッケージ

非常に低い熱抵抗

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 315 A, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJ138ELP-T1_GE3

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