Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 602 A, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）, SQJQ160E-T1_GE3
- RS品番:
- 225-9968
- メーカー型番:
- SQJQ160E-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 225-9968
- メーカー型番:
- SQJQ160E-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 602A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK （8x8L） | |
| シリーズ | N-Channel 60 V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.8mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 600W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.7V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 183nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 8.1mm | |
| 高さ | 1.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 602A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PowerPAK （8x8L） | ||
シリーズ N-Channel 60 V | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.8mΩ | ||
最大許容損失Pd 600W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.7V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 183nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 8.1mm | ||
高さ 1.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。
AEC-Q101認定
100 % Rg及びUISテスト済み
薄い 1.6 mm パッケージ
非常に低い熱抵抗
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