2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 4.5 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-70
- RS品番:
- 228-2834
- メーカー型番:
- SIA938DJT-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 15000 - 27000 | ¥33.792 | ¥101,376 |
| 30000 - 72000 | ¥33.528 | ¥100,584 |
| 75000 - 147000 | ¥33.253 | ¥99,759 |
| 150000 + | ¥32.989 | ¥98,967 |
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- RS品番:
- 228-2834
- メーカー型番:
- SIA938DJT-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SC-70 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 21.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 7.8W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SC-70 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 21.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 7.8W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay デュアル N チャンネル MOSFET は、電源管理設計向けに卓越した汎用性を発揮します。
超低 RDS ( on )及び優れた RDS x Qg
超小型ながら優れた性能( FOM )
パッケージフットプリント
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