Vishay MOSFET, Nチャンネル, 85 A, スルーホール, 3 ピン, SiHS90N65E-GE3
- RS品番:
- 228-2885
- メーカー型番:
- SiHS90N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 228-2885
- メーカー型番:
- SiHS90N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 85 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 700 V | |
| パッケージタイプ | Super-247 | |
| シリーズ | E Series | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.029 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 85 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 700 V | ||
パッケージタイプ Super-247 | ||
シリーズ E Series | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.029 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 4V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
トランジスタ素材 Si | ||
Vishay E シリーズパワー MOSFET により、スイッチング損失と導電損失を低減しています。
低性能指数(FOM): Ron x Qg
低実効静電容量（ Co （ er ））
低実効静電容量（ Co （ er ））
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