Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 12 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージSO-8, SQ4850CEY-T1_GE3
- RS品番:
- 268-8358
- メーカー型番:
- SQ4850CEY-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 268-8358
- メーカー型番:
- SQ4850CEY-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | SQ4850CEY | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.031Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 6.8W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 34nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ SQ4850CEY | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.031Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 6.8W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 34nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay自動車用NチャンネルTrenchFETパワーMOSFETは、シングル構成MOSFETを備えた鉛及びハロゲンフリーデバイスで、動作温度に依存しません。
AEC Q101資格
ROHS コンプライアンス
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