Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 33.6 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8, SQJ211ELP-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
228-2959
メーカー型番:
SQJ211ELP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

33.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

30mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

68W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

45nC

順方向電圧 Vf

-0.82V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Vishay TrenchFET 車載 P チャンネルは 100 V パワー MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

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