Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SQS660CENW-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
228-2968
メーカー型番:
SQS660CENW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

62.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17.4nC

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Vishay TrenchFET 車載 N チャンネルは 60 V パワー MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

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