Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SQS414CENW-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
228-2963
メーカー型番:
SQS414CENW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

23mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

33W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.9nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.78V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Vishay TrenchFET 車載 N チャンネルは 60 V パワー MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

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