Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 150 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 228-2986
- メーカー型番:
- SUM90100E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫切れ
単価： 購入単位は800個
￥340.385
(税抜)
￥374.423
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | ￥340.385 | ￥272,308.00 |
| 1600 - 7200 | ￥333.578 | ￥266,862.40 |
| 8000 - 11200 | ￥326.905 | ￥261,524.00 |
| 12000 - 15200 | ￥320.368 | ￥256,294.40 |
| 16000 + | ￥313.96 | ￥251,168.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 228-2986
- メーカー型番:
- SUM90100E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
Vishay N チャンネル 200 V （ D-S ） MOSFET です。
100 % Rg及びUISテスト済み
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 150 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | TrenchFET |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.0114 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
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