Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 150 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
228-2986
メーカー型番:
SUM90100E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

150A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

375W

順方向電圧 Vf

0.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

72.8nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 200 V （ D-S ） MOSFET です。

Vishay N チャンネル 200 V （ D-S ） MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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