型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 150 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

RS品番:: 228-2984
メーカー型番:: SUM70030M-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 150 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本800個入り) 小計：*

￥249,600.00

￥274,560.00

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個	単価	1チューブあたりの価格*
800 - 800	￥312.00	￥249,600
1600 - 7200	￥304.39	￥243,512
8000 - 11200	￥300.724	￥240,579
12000 - 15200	￥297.143	￥237,714
16000 +	￥293.648	￥234,918

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RS品番:: 228-2984
メーカー型番:: SUM70030M-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	150A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	ピン数	7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	375W
	順方向電圧 Vf	0.8V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	142.4nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 150A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	ピン数 7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 375W
	順方向電圧 Vf 0.8V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 142.4nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - SUM70030M-GE3

Vishay N チャンネル 100 V （ D-S ） MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 150 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

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