Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 400 A, 1.1 mΩ, 16ピン, パッケージ：HDSOP
- RS品番:
- 228-6524
- メーカー型番:
- IAUS300N08S5N011TATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール1800個入り) 小計：*
￥1,169,924
(税抜)
￥1,286,917
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 3,600 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1800 - 1800 | ￥649.958 | ￥1,169,924 |
| 3600 - 16200 | ￥636.313 | ￥1,145,363 |
| 18000 - 25200 | ￥622.668 | ￥1,120,802 |
| 27000 - 34200 | ￥609.022 | ￥1,096,240 |
| 36000 + | ￥595.377 | ￥1,071,679 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 228-6524
- メーカー型番:
- IAUS300N08S5N011TATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 400A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | IAUS300N08S5N011T | |
| パッケージ型式 | HDSOP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 16 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 400A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ IAUS300N08S5N011T | ||
パッケージ型式 HDSOP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 16 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IAUS300N08S5N011TシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧80V、最大連続ドレイン電流400A - IAUS300N08S5N011TATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい自動車および産業環境向けに設計された高電流スイッチングデバイスで、コンパクトな表面実装パッケージでNチャンネルエンハンスメントモード動作を実現します。大きなドレイン電流を制御し、高温に耐えるように設計されており、電力変換およびスイッチング用途で低い導通損失を実現します。
特長：
• 400Aの連続ドレイン電流により、高電流スイッチング機能を実現
• 1.1mΩ Rds(on)により、負荷サイクル中の導通損失を最小限に抑制
• 80Vのドレイン・ソース定格により、高電圧システムの互換性を実現
• 最大消費電力375Wでヘビーデューティ熱負荷に対応
• ±20Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブ電圧を実現
• -55°C～175°Cの動作範囲により、幅広い温度範囲での信頼性を実現
• 1.1mΩ Rds(on)により、負荷サイクル中の導通損失を最小限に抑制
• 80Vのドレイン・ソース定格により、高電圧システムの互換性を実現
• 最大消費電力375Wでヘビーデューティ熱負荷に対応
• ±20Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブ電圧を実現
• -55°C～175°Cの動作範囲により、幅広い温度範囲での信頼性を実現
用途
• 自動車用パワートレインインバータステージに最適
• 車両の高電流DC-DCコンバータに最適
• 電気自動車のトラクションモータコントローラーと併用
• 産業用モータードライブスイッチングに使用可能
• 高出力バッテリーの管理および配電に使用
• 車両の高電流DC-DCコンバータに最適
• 電気自動車のトラクションモータコントローラーと併用
• 産業用モータードライブスイッチングに使用可能
• 高出力バッテリーの管理および配電に使用
どのようなパッケージタイプと取り付け方法を使用しますか?
表面実装用のHDSOPパッケージで提供され、コンパクトな基板レイアウトと熱管理を容易にします。
逆伝導において、どのようなダイオード特性を考慮すべきですか?
本質ダイオードは、1.2 Vの順方向電圧を示し、フリーホイール間隔での導通損失を示します。
このデバイスには、どのくらいの電気接続がありますか?
このコンポーネントは、高電流基板設計のゲート、ドレイン、ソースルーティングをサポートする16ピンを備えています。
どのような半導体チャンネルと動作モードを採用していますか?
このデバイスは、標準的なMOSFETゲートドライブアーキテクチャに適したエンハンスメントモードで動作するNタイプチャンネルを使用します。
関連ページ
- Infineon MOSFET 80 V 1.1 mΩ パッケージ：HDSOP
- Infineon MOSFET 80 V 1.4 mΩ パッケージ：HDSOP
- Infineon MOSFET 80 V 1.2 mΩ パッケージ：HDSOP
- Infineon MOSFET 100 V 1.9 mΩ パッケージ：HDSOP
- Infineon MOSFET 100 V 1.5 mΩ パッケージ：HDSOP
- Infineon MOSFET 80 V 1.1 mΩ 16ピン, パッケージ：HDSOP
- Infineon MOSFET 120 V 1.8 mΩ パッケージ：PG-HDSOP-16-1
- Infineon MOSFET 60 V 0.79 mΩ パッケージ：PG-HDSOP-16-1