Littelfuse MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 220 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-268, IXTT220N20X4HV

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計:*

¥3,067.00

(税抜)

¥3,373.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年10月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1 - 4¥3,067
5 - 9¥3,026
10 - 24¥2,841
25 +¥2,710

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
229-1436
メーカー型番:
IXTT220N20X4HV
メーカー/ブランド名:
Littelfuse
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Littelfuse

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

220A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

X4

パッケージ型式

TO-268

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

800W

最大ゲートソース電圧Vgs

4.5 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

157nC

動作温度 Max

175°C

長さ

16.05mm

高さ

19.1mm

規格 / 承認

No

5.1 mm

自動車規格

なし

Littlefuse IXTT220N20X4HV MOSFET は、最新の Ultra Junction 技術を採用して、高効率の電源用途に適した設計になっています。TO-247 及び TO-268HV パッケージで提供されます。低い RDS ( on )と低いゲート電荷及び出力電荷を同時に提供するため、所定の周波数での効率的なスイッチングが可能になります。

低ゲート電荷量

低RDS(on)

低 RthJC

動作温度は 175 ° C です

高いアバランシェ定格( 900 mJ-1J )

関連ページ