IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-268, IXFT60N65X2HV
- RS品番:
- 146-4235
- メーカー型番:
- IXFT60N65X2HV
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- RS品番:
- 146-4235
- メーカー型番:
- IXFT60N65X2HV
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | HiperFET | |
| パッケージ型式 | TO-268 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 52mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 780W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 108nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 15.15 mm | |
| 高さ | 5.1mm | |
| 長さ | 16.05mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ HiperFET | ||
パッケージ型式 TO-268 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 52mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 780W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 108nC | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 15.15 mm | ||
高さ 5.1mm | ||
長さ 16.05mm | ||
自動車規格 なし | ||
低RDS(ON)及びQg
高速ボディダイオード
dv/dt耐久性
アバランシェ定格
低パッケージインダクタンス
国際標準パッケージ
共振モード電源
高輝度放電(HID)ランプバラスト
AC及びDCモータドライブ
DC-DCコンバータ
ロボット及びサーボ制御
バッテリ充電器
3レベルソーラーインバータ
LED照明
無人航空機(UAV)
高効率化
高電力密度
取り付けが簡単
省スペース