Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, AUIRF3205ZSTRL

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梱包形態
RS品番:
229-1729
メーカー型番:
AUIRF3205ZSTRL
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

110A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

AUIRF

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

76nC

最大許容損失Pd

170W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

幅

9.65 mm

高さ

4.83mm

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon のパワー MOSFET は、最新の処理技術を採用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、車載をはじめ幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

Infineon のパワー MOSFET は、最新の処理技術を採用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、車載をはじめ幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

RoHS 準拠で AEC Q101 認定です

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